中国科学院院士半导体材料专家王占国。

不忘

　　王占国，1938年生，镇平县人，中国半导体材料专家，中国科学院院士。1954~1957年在河南省南阳第二高中学习，1962年毕业于天津南开大学物理系，同年被分配到中国科学院半导体研究所工作，先后任实习研究员和助理研究员，从事半导体材料光电性质和半导体材料、器件辐照效应研究。在中国科学院半导体研究所，他取得了多项开拓性的研究成果。他独自研制了高阻静电计及其测试系统，解决了低温高阻测量问题，在国内首先实现了20～400K硅的变温霍尔系数测试；在对人造卫星用硅太阳能电池的辐照效应研究中，发现NP电池比PN电池抗电子辐照能力好百倍以上，从而改变了651任务(人造卫星代号)设计院的决定，定型投产产品由PN电池改为NP电池。他在任中国人民解放军第14研究院辐照实验组业务组长期间，对该院研制的电子材料、器件和集成电路进行了系统的电子、质子、中子和γ射线辐照效应的研究，将其实验结果，与同事一起汇编成册。1980年10月至1983年11月赴瑞典隆德大学固体物理系进修，从事半导体深能级物理和光谱物理研究。3年的进修日程，王
　　占国与合作者一起先后共撰写了近30篇科学论文，多数在美国《物理评论》、《应用物理通讯》；《应用物理》、英国的《物理杂志》、《固体通讯》等国际有影响的刊物和我国的《半导体学报》、《中国物理》上发表。这些研究成果，引起了同行的好评和重视。据SCI检索，到1995年5月，其中相关的10篇论文先后被引用200余次。1983年11月回国后在半导体所继续半导体材料物理研究，他先后承担了国家科技重点攻关项目——“863”计划，重大、重点和国家自然科学基金项目等近20个研究任务。1984年后，王占国开始致力于深能级物理实验室建设和材料物理研究，其中双光束光电容谱仪系统和四元锑化物材料制备与性质以及等电子杂质In在GaAs中行为研究分别获中国科学院重大成果(1990)、科技进步二等奖(1989)和三等奖(1990)以及“七五”国家科技重点攻关项目奖。近几年来，他的研究工作重点集中在低维半导体材料(量子线、量子点)制备、性质和器件应用探索方面，并在应变自组装量子点激光材料生长和量子点激光器研制方面取得了突破性进展。他领导的小组研制成功的大功率量子点激光器，室温连续工作输出功率高达1W,0.6W连续工作寿命超过3000小时；由16只单管耦合组成的大功率激光光纤模块输出功率大于10W，与俄—德联合小组并驾齐驱，处于国际领先地位。
　　由于王占国在半导体材料科学领域的卓越贡献，1986年他被破格晋升为研究员，并任半导体材料室主任。1990年被国务院学位委员会批准为博士生导师。1990年5月至1994年10月任中国科学院半导体研究所副所长；从1990年起任中国科学院半导体材料科学实验室主任；国家高技术新材料领域专家委员会委员、常委，功能专家组组长；国际半导体和半绝缘体材料会议顾问委员会委员。1995年当选为中国科学院院士，技术学部常委。1996年7月被聘任为S863新材料技术领域计划建议专家组组长；从1992年起先后任南京大学、北京师范大学、大连理工大学和河北大学兼职教授；北京大学、清华大学等国家级和部门级开放实验室学术委员；《半导体学报》、《人工晶体学报》和《材料导报》等杂志编委。1998年起任第七届国际化学束外延会议顾问委员会委员。王占国及其合作者的研究成果曾获中国科学院科技进步一、二、三等奖和国家科技进步三等奖以及国家重点科技攻关奖多项，在国内外学术刊物和会议发表论文160余篇。
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